企業の方へ

特許情報のご紹介(その他)

高品質エピタキシャルグラフェン

管理番号 2012-009

技術の名称

高品質エピタキシャルグラフェン

キーワード

グラフェン,SiC,ナノ材料,ポストシリコン

番号 特許出願済み HP掲載日 2012-10-24

技術の概要

グラフェンは、ポストシリコン材料として期待されている炭素ナノ材料で、キャリア移動度、機械強度、熱伝導度等の多くの基礎物性において他の材料と比較して非常に優れた特性を示す。単層グラフェンは、キャリア(電子・正孔)移動度がSiの約100倍、鉄の約5倍硬く、密度は約1/3以下であり、熱的・化学的に安定である。しかし現在、高品質・高均質の単層グラフェンを得ることは困難である。
今回、SiC上のグラフェンの成長メカニズムを解明することで、高品質なエピタキシャルグラフェンを形成することに成功した。

 

活用のセールスポイント

○ 低コスト:不活性ガス雰囲気中での高温熱処理で作製
○ 均一な単結晶・単層グラフェンを、10mm角で安定的に作製することができる
○ 原理的にウエハスケールのグラフェンを形成可能で、量産化可能性がある

 

説明図等

 

想定される応用分野・製品、市場規模

・高性能電子デバイス、高感度センサー、透明電極、MEMSなど

PDFを閲覧するにはAcrobat Reader、またはAcrobat Readerが必要です。
Adobe ReaderはAdobe社WEBサイトからダウンロードできます。

Adobe Readerのダウンロードはこちら

人材募集 スタッフ紹介 IDを取得するには リンク集